[发明专利]硅化钨靶及其制造方法，以及硅化钨膜的制造方法有效
| 申请号： | 201880091653.1 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111971413B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 太斋贵文;浅野孝幸;冈部岳夫 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙) 11725 | 代理人： | 聂宁乐;胡瑾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种溅射成膜时有效地减少微粒的产生的硅化钨靶。其是具有WSi |
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| 搜索关键词： | 硅化钨靶 及其 制造 方法 以及 硅化钨膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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