[发明专利]硅化钨靶及其制造方法，以及硅化钨膜的制造方法

说明书

提供一种溅射成膜时有效地减少微粒的产生的硅化钨靶。其是具有WSisubgt;2/subgt;相和Si相的双相结构的硅化钨靶，以原子比计的组成式用WSisubgt;x/subgt;(其中，X＞2.0。)表示，观察溅射面时，构成所述Si相的Si粒中，单个Si粒的面积为63.6μmsupgt;2/supgt;以上者的总面积I1与所有所述Si粒的总面积S1之比(I1/S1)为5％以下，抗弯强度的威布尔系数为2.1以上。

技术领域

本发明涉及一种硅化钨靶及其制造方法，以及硅化钨膜的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造步骤中，作为形成薄膜的方法使用溅射法。溅射法的量产性、成膜的稳定性优异，通过使Ar离子冲撞靶，从而使得作为靶物质的金属飞出，该飞出的金属堆积在与靶对置的基板上形成薄膜。

然而，近年，随着LSI的集成度提高、布线宽度微细化，来自溅射靶的微粒的产生成为问题。微粒，直接附着在基板上的膜上，或者，附着在腔内的壁等上，堆积后会剥落再次附着在膜上，引起布线的短路、断线等问题。因此，溅射中为了减少来自溅射靶的微粒，提出了各种各样的溅射靶。

例如，在专利文献1中，公开了一种由硅化钨制成，且靶材的表面粗糙度Ra的平均值大于1.0且在2.0μm以下的溅射靶。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11－200024号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本实施方式要解决的技术问题是，提供一种在成膜时有效地减少微粒的产生的硅化钨靶及其制造方法，以及，使用所述硅化钨靶的硅化钨膜的制造方法。

解决技术问题的方法

即，本实施方式的硅化钨靶，为具有WSi₂相和Si相的双相结构的硅化钨靶，以原子比计的组成式用WSi_x(其中，X＞2.0。)表示，观察溅射面时，构成所述Si相的Si粒中，单个Si粒的面积为63.6μm²以上者的总面积I1与所有所述Si粒的总面积S1之比(I1/S1)，为5％以下，抗弯强度的威布尔系数为2.1以上。

在本实施方式的硅化钨靶中，观察溅射面时，构成所述WSi₂相的WSi₂粒中，单个WSi₂粒的面积为63.6μm²以上者的总面积I2与所有所述WSi₂粒的总面积S2之比(I2/S2)，为5％以下。

在本实施方式的硅化钨靶中，观察溅射面时，构成所述WSi₂相的WSi₂粒中，单个WSi₂粒的面积为63.6μm²以上者的总面积I2与所有所述WSi₂粒的总面积S2之比(I2/S2)，为0.1％以下。

在本实施方式的硅化钨靶中，观察溅射面时，单个WSi₂粒的平均面积为6.0μm²以下。

在本实施方式的硅化钨靶中，所述单个WSi₂粒的平均面积为3.0μm²以上。

在本实施方式的硅化钨靶中，观察溅射面时，单个Si粒的平均面积小于2.5μm²。

在本实施方式的硅化钨靶中，所述单个Si粒的平均面积为1.2μm²以上。

在本实施方式的硅化钨靶中，平均抗弯强度为250MPa以上。

在本实施方式的硅化钨靶中，氧浓度为700质量ppm以上。