[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
| 申请号： | 201880086977.6 | 申请日： | 2018-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN111656489A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 小野行雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/26;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在开始进行成为批次的最初的处理对象的半导体晶片的处理前，将虚设晶片搬入至腔室(6)内，形成包含具有较高热传导率的氦气的环境。通过来自卤素灯的光照射而加热虚设晶片，由此自升温的虚设晶片以氦气为热介质向上侧腔室窗及下侧腔室窗产生热传导。在将成为最初的处理对象的半导体晶片搬入至腔室内时，上侧腔室窗及下侧腔室窗被加热，故可使构成批次的所有半导体晶片的温度历程均一，可省略虚设运转。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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