[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 201880085719.6 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111602230A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 邓宝铃;小林健司;藤井定;日野出大辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够改善图案倒塌及颗粒问题的衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包括下述工序：表面改性工序，针对在表面具有氧化物的衬底的表面，实施将该表面的粗糙加以改善的改性；表面清洗工序，向上述衬底的经改性的上述表面供给处理液，通过该处理液对衬底的表面进行清洗；和疏水化工序，向上述衬底的经清洗的上述表面供给疏水化剂，将上述衬底的表面疏水化。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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