[发明专利]扫描电子显微镜和分析二次电子自旋极化的方法有效
| 申请号： | 201880085337.3 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111556963B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 孝桥照生;森下英郎;片根纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;H01J37/244;H01J37/28 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;范胜杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的扫描电子显微镜具备：自旋检测器，其测定从试样释放的二次电子自旋极化；分析装置，其对上述自旋检测器的测定数据进行分析。在上述测定数据中，上述分析装置确定上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度。并且，上述分析装置根据上述区域的宽度，对上述试样的应变进行评价。通过上述扫描电子显微镜的结构，能够在磁性材料中高精度地进行应变的分析。 | ||
| 搜索关键词： | 扫描 电子显微镜 分析 二次电子 自旋 极化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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