[发明专利]磁传感器模块和用于该磁传感器模块的IC芯片有效

专利信息
申请号: 201880084087.1 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111566495B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 奥津吉隆;吉田将规;石田一裕;渡部司也;平林启;酒井正则 申请(专利权)人: 旭化成微电子株式会社;TDK株式会社
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/09;G01R35/00;H01L43/08
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的课题在于提供一种对磁阻元件给予均匀的校准磁场并且抑制磁传感器芯片的尺寸的磁传感器模块。本发明提供磁传感器模块,其具有:IC芯片,其具有第1线圈;以及磁传感器芯片,其配置于所述IC芯片的面上,具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器,所述IC芯片的平面形状将所述磁传感器芯片的平面形状包在其中,所述第1线圈具有包括3个以上的边的平面形状,并形成为,在所述平面形状的至少一边的剖视视角下,覆盖所述第1磁传感器的所述一边方向的区域。
搜索关键词: 传感器 模块 用于 ic 芯片
【主权项】:
暂无信息
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