[发明专利]磁传感器模块和用于该磁传感器模块的IC芯片有效

专利信息
申请号: 201880084087.1 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111566495B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 奥津吉隆;吉田将规;石田一裕;渡部司也;平林启;酒井正则 申请(专利权)人: 旭化成微电子株式会社;TDK株式会社
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/09;G01R35/00;H01L43/08
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 模块 用于 ic 芯片
【说明书】:

本发明的课题在于提供一种对磁阻元件给予均匀的校准磁场并且抑制磁传感器芯片的尺寸的磁传感器模块。本发明提供磁传感器模块,其具有:IC芯片,其具有第1线圈;以及磁传感器芯片,其配置于所述IC芯片的面上,具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器,所述IC芯片的平面形状将所述磁传感器芯片的平面形状包在其中,所述第1线圈具有包括3个以上的边的平面形状,并形成为,在所述平面形状的至少一边的剖视视角下,覆盖所述第1磁传感器的所述一边方向的区域。

技术领域

本发明涉及一种磁传感器模块和IC芯片。

背景技术

为了维持磁传感器的精度,期望在动作过程中也对灵敏度进行校正。因此,众所周知如下一种方法:向内置于磁传感器芯片的灵敏度调整用线圈供给恒定电流,生成已知的磁场,通过对该磁场进行测量,在动作过程中调整磁传感器的灵敏度(例如专利文献1和专利文献2)。

例如,在使用构成惠斯通电桥电路的磁阻元件作为磁传感器的情况下,为了准确地进行磁传感器的灵敏度调整,需要对该磁阻元件给予均匀的校准磁场。与此相对,众所周知如下的方法:与磁传感器在同一基板上,覆盖磁传感器整体地形成灵敏度调整用线圈(例如专利文献3)。但是,根据该方法,存在搭载磁传感器的磁传感器芯片的尺寸增大并且制造成本升高的问题。

专利文献1:日本特开2014-13593号公报

专利文献2:日本特开2017-96627号公报

专利文献3:日本特开2017-72375号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的课题在于提供一种不增加磁传感器芯片的尺寸,就能够对磁传感器给予均匀的校准磁场的磁传感器模块。

在本发明的第1技术方案中,提供一种磁传感器模块,其具有:IC芯片,其具有第1线圈;以及磁传感器芯片,其配置于IC芯片的面上,具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器,IC芯片的平面形状将磁传感器芯片的平面形状包在其中,第1线圈具有包括3个以上的边的平面形状,并形成为,在平面形状的至少一边的剖视视角下,覆盖第1磁传感器的一边方向的区域。

在本发明的第2技术方案中,提供一种IC芯片,在该IC芯片的面上配置有具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器的磁传感器芯片,在该IC芯片中,具有第1线圈,IC芯片的平面形状将磁传感器芯片的平面形状包在其中,第1线圈具有包括3个以上的边的平面形状,并形成为,在平面形状的至少一边的剖视视角下,覆盖第1磁传感器的一边方向的区域。

(一般的公开)

(技术方案1)

可以是,磁传感器模块具有IC芯片,该IC芯片具有第1线圈。

可以是,磁传感器模块具有磁传感器芯片,该磁传感器芯片配置于IC芯片的面上,具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器。

可以是,IC芯片的平面形状将磁传感器芯片的平面形状包在其中。

可以是,第1线圈具有包括3个以上的边的平面形状。

(技术方案2)

可以是,第1线圈形成为,在IC芯片的平面形状的至少一边的剖视视角下,覆盖第1磁传感器的一边方向的区域。

(技术方案3)

可以是,第1线圈形成为,在IC芯片的平面形状的至少一边的剖视视角下,覆盖磁传感器芯片的一边方向的区域。

(技术方案4)

可以是,从第1线圈的平面形状的至少一边向第1磁传感器的垂直投影线在与第1轴不同的方向上横穿第1磁传感器。

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