[发明专利]磁场施加偏置膜以及使用其的磁检测元件及磁检测装置有效
| 申请号： | 201880083509.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111512457B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 斋藤正路 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/85 | 分类号： | H10N50/85;H10N50/10;G01R33/09;H01F10/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有强磁场耐性的磁场施加偏置膜(11)具备交换耦合膜(10)，该交换耦合膜(10)具有永久磁石层(3)和在永久磁石层(3)层叠的反强磁性层(4)，反强磁性层(4)具备X(Cr‑Mn)层，该X(Cr‑Mn)层含有从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素X、以及Mn及Cr，X(Cr‑Mn)层具有：距永久磁石层(3)相对较近的第1区域(R1)、和距永久磁石层(3)相对较远的第2区域(R2)，第1区域(R1)中的Mn含有量高于第2区域(R2)中的Mn含有量。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 施加 偏置 以及 使用 检测 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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