[发明专利]晶片装置、其制造方法以及混合滤波器在审
| 申请号： | 201880082797.0 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111527695A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | M·希克;R·罗塞齐恩 | 申请（专利权）人： | RF360欧洲有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶片装置包括具有顶表面的载体晶片(CW)，该定表面被划分为第一表面区域(SA1，ARS)和第二表面区域(SA2，PES)的规则图案(RP)，其中每个第一表面区域被分配给相邻地施加的相应的分开的第二表面区域，以一起形成组合滤波区域。薄膜压电材料的斑点被结合到第一表面区域。LC元件的电路(PES)由多层金属化(ML1，ML2)集成地形成在第二表面区域上。每个金属化层的LC元件被嵌入在电介质中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 装置 制造 方法 以及 混合 滤波器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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