[发明专利]晶片装置、其制造方法以及混合滤波器

权利要求书

1.一种晶片装置，包括

-载体晶片(CW)，至少具有电绝缘顶表面，所述表面被划分为第一表面区域和第二表面区域(SA1，SA2)的规则图案(RP)，其中每个第一表面区域(SA1)被分配给被相邻地施加的相应的分开的第二表面区域(SA2)，以一起形成组合滤波区域；

-薄膜压电材料(TF)的斑点，被结合到所述第一表面区域(SA1)；

-LC元件(LC)的电路，由多层金属化被集成地形成在所述第二表面区域上，每个金属化层(ML)的所述LC元件被嵌入在电介质中。

2.根据前述权利要求所述的晶片装置，

-其中薄膜SAW器件(TFS)形成在所述薄膜压电材料(TF)的斑点上，使得每个第一表面区域包括一个薄膜SAW器件(TFS)，

-其中每个薄膜SAW器件与分配的LC元件(LC)的电路电互连，以形成包括LC元件和薄膜SAW器件(TFS)的组合滤波电路。

3.根据前述权利要求之一所述的晶片装置，

其中所述第一表面区域和所述第二表面区域的规则图案是

a)由LC元件的电路和包括薄膜SAW器件(TFS)的斑点形成的棋盘图案，或者

b)第一平行条和第二平行条的交替图案，每个第一条包括一行薄膜SAW器件，每个第二条包括一行LC电路，或者

c)第一条和第二条的平行布置，其中第一条和相邻的第二条形成第一对条，其中第二平行条和相邻的第一平行条的第二对条相对于所述第一对条被镜像反转，并且其中第一对条和第二对条被交替地布置。

4.根据前述权利要求之一所述的晶片装置，

-其中薄膜压电材料的包括不止一个TFSAW器件的斑点设置有沟槽图案(TR)，

-其中所述沟槽被切入所述薄膜压电材料(PM)的斑点的、结合到所述载体晶片的底表面中，

-其中所述沟槽的深度在所述薄膜压电材料的层厚度的一半到所述薄膜压电材料的总厚度d2的范围内，使得所述载体晶片的顶表面在分离线中从顶部被暴露。

5.根据前述权利要求之一所述的晶片装置，

其中所述薄膜SAW器件(TFS)被封闭在薄膜封装(TFP)的覆盖层之下，从而在所述薄膜SAW器件(TFS)与所述覆盖层之间提供腔体。

6.根据前述权利要求之一所述的晶片装置，

其中嵌入有所述LC元件(LC)的所述电介质(DE)是有机电介质。

7.根据前述权利要求之一所述的晶片装置，

其中嵌入有所述LC元件(LC)的所述电介质(DE)是诸如二氧化硅等氧化物。

8.根据前述权利要求之一所述的晶片装置，其中

-所述LC元件(LC)由多层金属化形成，

-所述LC元件的每个金属化层(ML)被嵌入在电介质(DE)中，

-形成在相同的金属化层中的LC元件通过导线电连接，

-形成在不同的金属化层中的LC元件通过过孔互连，

-所述TFSAW器件分别通过在所述薄膜SAW器件(TFS)的顶部上、和在所述多层金属化的最高电介质(DE)的顶部上被引导的导线，被电连接到LC电路。