[发明专利]硅体热电转换材料在审

专利信息
申请号: 201880081665.6 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111527613A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 塩见淳一郎;柏木诚;児玉高志 申请(专利权)人: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
主分类号: H01L35/14 分类号: H01L35/14;H01L35/26;B22F1/00;B82Y30/00;C01B33/02
代理公司: 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 代理人: 梁志文
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种硅体热电转换材料,该材料通过降低硅的热传导率来使热电性能与现有技术相比得到提高。在该硅体热电转换材料为硅单体中,在室温下仅含硅时ZT超过0.2。该硅体热电转换材料具有:多个硅粒,其尺寸在1‑300nm;第一孔,其存在于多个所述硅粒中及所述硅粒表面,且平均尺寸1‑30nm以下;以及第二孔,其存在于多个所述硅粒之间,且平均尺寸为100‑300nm,所述硅粒的长径比小于10。
搜索关键词: 热电 转换 材料
【主权项】:
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