[发明专利]在有/无稀有气体的磁性穿隧结(MTJ)蚀刻过程中将氧化剂导入至甲醇以改善磁性穿隧结(MTJ)性能在审
| 申请号： | 201880080750.0 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111630674A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 沈冬娜;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种用于形成具有最少的侧壁残留物及减少的低尾族群(low tail population)的磁性穿隧结(MTJ)的工艺流程，其中首先在作为MTJ层最上层的硬掩模中形成图案。之后，蚀刻转移硬掩模图案穿过包括参考层/穿隧阻障/自由层堆叠的下方MTJ层。可以基于第一流速的氧气及第二流速的氧化剂(例如甲醇)在单一RIE步骤中完成蚀刻转移，其中甲醇/氧气的比例至少为7.5：1。RIE也可以包括稀有气体的流速。在其他实施例中，当离子束蚀刻或等离子体蚀刻涉及稀有气体离子时，可在蚀刻转移穿过MTJ堆叠后，以氧化剂例如甲醇进行化学处理以及在50℃至450℃进行挥发。 | ||
| 搜索关键词： | 稀有气体 磁性 穿隧结 mtj 蚀刻 过程中将 氧化剂 导入 甲醇 改善 性能 | ||
【主权项】：
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