[发明专利]二氧化硅层的制备方法在审
| 申请号： | 201880073579.0 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111344070A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 吴贤泽;申昌训;朴光承;朴文洙 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | B05D5/06 | 分类号： | B05D5/06;G02B1/113;C09D5/00;C09D7/40;B05D3/02;B05D7/24;B01J31/02;B01J27/06 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李静;张云志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种二氧化硅层的制备方法。本申请可以在不使用昂贵设备的情况下通过低温下的简单工艺提供一种能够容易地形成二氧化硅层的方法，所述二氧化硅层作为具有二氧化硅网络作为主要组分的膜，在内部形成有孔并且包括折射率等的光学特性得到适当地控制。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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