[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号： | 201880071095.2 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111316404A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 太田乔 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置(100)及基板处理方法。基板处理装置(100)包括：腔室(1)、喷嘴(3)、供给配管(5)、阀(7)、温度检测部(9)、及控制部(11)。喷嘴(3)向基板(W)喷出处理液。供给配管(5)对喷嘴(3)供给处理液。阀(7)能够切换成打开状态与关闭状态，所述打开状态使在供给配管(5)内流动的处理液朝向喷嘴(3)通过，所述关闭状态使自供给配管(5)朝喷嘴(3)的处理液的供给停止。温度检测部(9)检测腔室(1)内的处理液的温度。控制部(11)基于处理液的温度来控制阀(7)，并以基于处理液的累积热量成为规定值(PV)的方式控制处理液的喷出时间。累积热量表示代表投入至基板(W)的处理液的热量的累积值的物理量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
