[发明专利]高电压薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880062257.6 | 申请日： | 2018-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111133583A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 格温·赫尔曼纳斯·格林克;简-劳伦斯·彼得·雅各布·范·德尔·斯廷 | 申请（专利权）人： | 荷兰应用科学研究会(TNO) |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘彬 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 指明一种高电压薄膜晶体管，包含在一栅极电极层(31)中的一栅极电极(G11，G21)，在与该栅极电极层平行的一沟道层(34)中的一半导体沟道(C11，C12)，该半导体沟道藉由一栅极介电层(32)而与该栅极电极电气绝缘。该晶体管还包含一主导主电极及一从属主电极(M11，M12)。主电极各具有在一主电极层(36)中的一外部部分(M11e，M12e)及一内部部分(M11e，M12e)，该内部部分突出通过在该主电极层与该沟道层之间的一另一介电层(35)，以分别在一主导主电极接触区域(M11c)及一从属主电极接触区域(M12c)中电气接触该半导体沟道。一第一距离(D1)界定在该主导主电极接触区域面向该从属主电极接触区域的一侧与该主导主电极的该外部部分面向该从属主电极的该外部部分的一侧之间。一第二距离(D2)界定在该从属主电极接触区域面向该主导主电极接触区域的一侧与该从属主电极的该外部部分面向该主导主电极的该外部部分的一侧之间，其中该第一距离至少是该第二距离的两倍大。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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