[发明专利]外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201880060125.X | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111095487B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 岩本亮辅;大西理 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/02;C23C16/24;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 金星 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种外延晶片的制造方法，准备背面经研磨的硅半导体基板，将所准备的基板洗净后，将多片基板作为1批次放入到基板保管部2。使基板保管部2的气氛中的NO |
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| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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