[发明专利]肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201880058896.5 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN111095570B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 有马润;平林润;藤田实;川崎克己;井之口大辅 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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