[发明专利]光电转换元件和光电转换装置有效
| 申请号： | 201880057709.1 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111052401B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吉河训太 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;G01B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姜越;王秀辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)具备：光电转换基板(210)，具有两个主面；第1导电型半导体层(221)和第1电极层(222)，依次层叠于作为光电转换基板(210)的一个主面的受光面侧；以及第2导电型半导体层(231)和第2电极层(232)，依次层叠于作为光电转换基板(210)的另一个主面的背面侧，上述光电转换元件(20)具备绝缘层(235)，上述绝缘层(235)设置于光电转换基板(210)与第2电极层(232)之间，绝缘层(235)具有沿着光电转换基板(210)的主面设置为二维状的多个贯通孔(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
