[发明专利]外围填充和局部电容有效
| 申请号： | 201880055583.4 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111052242B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | C·J·卡瓦姆拉;S·J·德尔纳 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案是针对存储器阵列，且更具体地说，是针对外围填充和局部电容。描述用于外围填充和局部电容的方法、系统和装置。可制造具有经连接以提供电容而非作为存储器单元操作的特定容器的存储器阵列。举例来说，具有一个或两个晶体管或其它切换组件和一个例如铁电或介电电容器等电容器的存储器单元可与共享共同存取线的一或多个容器电隔离，且隔离的容器可用作电容器。在一些实例中，所述电容器可用于滤波。或者，电容可用以升高或调节例如支持电路中的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 外围 填充 局部 电容 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880055583.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：层叠膜及层叠膜的制造方法
- 下一篇：发光二极管(LED)传质设备及其制造方法
