[发明专利]电荷俘获评价方法以及半导体元件有效
| 申请号： | 201880054957.0 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111051903B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 角岛邦之;星井拓也;若林整;筒井一生;岩井洋;山本大贵 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L21/338;H01L21/66;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 作为一个实施方式，提供一种电荷俘获评价方法以及半导体元件，包括以下步骤：对具有HEMT结构的半导体元件(1)的源电极(15)及漏电极(16)与基板(10)之间施加符号与阈值电压的符号相同且大小为阈值电压的大小以上的初始化电压，从陷阱能级中逐出已被俘获的电荷，来将俘获状态初始化；以及在俘获状态的初始化后，对在源电极(15)与漏电极(16)之间流动的电流进行监视，并对电荷捕获、电流崩塌及电荷放出中的至少一个进行评价。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 俘获 评价 方法 以及 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880054957.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铝构件及其制造方法
- 下一篇：用于在同频操作和异频操作之间进行确定的方法
