[发明专利]从硅片生产工艺回收亚微米硅颗粒的方法在审
| 申请号： | 201880053591.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111032569A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多夫·萨什 | 申请（专利权）人： | 道达尔太阳能国际公司;太阳能公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B13/06;C30B13/24;C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京汉鼎理利专利代理事务所(特殊普通合伙) 11618 | 代理人： | 赵晶;陶梅 |
| 地址： | 法国库*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种从硅片生产工艺回收亚微米硅颗粒的方法，所述硅片生产工艺采用金刚石固定磨料工艺、尤其是切片和切割的，该方法包括以下步骤：‑提供由所述金刚石固定磨料工艺产生的亚微米硅颗粒糊料(3)；‑将所述亚微米硅颗粒糊料干燥并成型为层(7)；‑在衬底(5)上对所述已干燥并成型的硅颗粒层施加区域熔炼步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 生产工艺 回收 微米 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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