[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序在审
| 申请号： | 201880052010.6 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111033700A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 野村诚;水口靖裕;齐藤一人;余川孝士;白川真人;末吉雅子 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/505;C23C16/52;H05H1/46;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种构成。该构成具有：处理容器，其构成处理气体被进行等离子体激励的等离子体生成空间和与等离子体生成空间连通的基板处理空间；等离子体生成部，其具有以包围等离子体生成空间的方式配置并且以卷绕在处理容器的外周的方式设置的线圈和向该线圈供给高频电力的高频电源；气体供给部，其向该等离子体生成空间供给处理气体；温度传感器，其设置在处理容器的外侧，对该处理容器的温度进行检测；以及控制部，其以在执行用于对基板进行处理的处理制程之前，使由温度传感器检测到的处理容器的温度落在由预先设定的上限值及下限值规定的目标温度的范围内的方式进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
