[发明专利]单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列在审
| 申请号： | 201880051712.2 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN111033759A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 格奥尔格·勒雷尔 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/107 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种单光子雪崩二极管SPAD包括有源区(10)，该有源区布置为产生光子触发的雪崩电流。覆盖件(12)布置在有源区(10)上或之上。覆盖件(12)对有源区(10)屏蔽入射光子。覆盖件(12)包括至少第一金属层和第二金属层(13、14)的叠层。金属层(13、14)的至少一个，例如第一金属层(13)，包括孔(15)。金属层(13、14)布置为相对于光轴(OA)在叠层中以沿着光轴(OA)开放有效孔(18)。通过有效孔(18)，有源区(10)的部分(19)暴露于沿着光轴(OA)入射的入射光子。有效孔(18)比布置在第一金属层(13)中的孔(15)小。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 雪崩 二极管 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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