[发明专利]多晶硅-金属电介质中的镶嵌薄膜电阻器(TFR)及制造方法在审
| 申请号： | 201880050912.6 | 申请日： | 2018-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN111052425A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | Y·冷 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镶嵌薄膜电阻器(TFR)，例如使用单个添加的掩膜层在多晶硅‑金属电介质(PMD)层内形成的镶嵌薄膜电阻器模块，以及用于制造这种器件的方法。一种用于制造TFR结构的方法可包括：形成一对间隔开的TFR头部，该对间隔开的TFR头部形成为自对准硅化物多晶硅(自对准多晶硅化物)结构；将电介质层沉积在自对准多晶硅化物TFR头部之上；图案化并蚀刻沟槽，该沟槽在每个自对准多晶硅化物TFR头部的至少一部分之上侧向延伸，以及暴露每个自对准多晶硅化物TFR头部的表面；以及将TFR材料沉积到沟槽中并沉积到暴露的TFR头部表面上，从而形成桥接对间隔开的TFR头部的TFR层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 金属 电介质 中的 镶嵌 薄膜 电阻器 tfr 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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