[发明专利]多晶硅-金属电介质中的镶嵌薄膜电阻器(TFR)及制造方法

权利要求书

1.一种用于制造薄膜电阻器(TFR)结构的方法，所述方法包括：

形成彼此间隔开的一对TFR头部，每个TFR头部包括自对准硅化物多晶硅(自对准多晶硅化物)结构；

将电介质层沉积在所述自对准多晶硅化物TFR头部之上；

使用光平版印刷将沟槽图案化成光致抗蚀剂层，所述图案化沟槽在每个自对准多晶硅化物TFR头部的至少一部分之上侧向延伸；

通过所述电介质层的至少一部分蚀刻所述沟槽，并且在所述自对准多晶硅化物TFR头部处停止，使得每个自对准多晶硅化物TFR头部的表面暴露；以及

将TFR材料沉积到所述沟槽中并沉积到所述自对准多晶硅化物TFR头部的暴露表面上，从而形成桥接所述对间隔开的自对准多晶硅化物TFR头部的TFR层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述TFR材料包含SiCr。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，包括在沉积所述TFR材料之后对所述结构进行退火以改变所述TFR材料的电阻温度系数(TCR)。

4.根据权利要求3所述的方法，包括使所述结构退火以实现所述TFR材料的TCR为0±100ppm/℃的TCR。

5.根据权利要求3所述的方法，包括使所述结构退火以实现所述TFR材料的TCR为0±50ppm/℃的TCR。

6.根据权利要求3所述的方法，包括使所述结构退火以实现所述TFR材料的TCR为0±10ppm/℃的TCR。

7.根据权利要求3-6中任一项所述的方法，包括在450℃至550℃范围内的温度下使所述结构退火。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，还包括执行化学机械抛光(CMP)工艺以去除所述TFR材料的在所述沟槽外部的部分。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在用于去除所述TFR材料的在所述沟槽外部的部分的所述去除工艺之后，在所述结构之上形成磷硅酸盐玻璃(PSG)层或未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)顶盖氧化物层中的至少一者。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，还包括形成导电触点以接触每个自对准多晶硅化物TFR头部。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，还包括将所述TFR结构导电地连接到至少一个铝互连件。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，还包括将所述TFR结构导电地连接到至少一个铜互连件。

13.一种薄膜电阻器(TFR)结构，包括：

一对间隔开的TFR头部，每个TFR头部包括自对准硅化物多晶硅(自对准多晶硅化物)结构；和

TFR层，所述TFR层与所述对自对准多晶硅化物TFR头部中的每一个接触，从而桥接所述间隔开的自对准多晶硅化物TFR头部；

其中所述自对准多晶硅化物TFR头部和所述TFR层在电介质结构内形成。

14.根据权利要求13所述的TFR结构，其中所述TFR材料包含SiCr。

15.根据权利要求13-14中任一项所述的TFR结构，其中所述TFR层具有由退火产生的0±100ppm/℃的电阻温度系数(TCR)。

16.根据权利要求13-14中任一项所述的TFR结构，其中所述TFR层具有由退火产生的0±50ppm/℃的电阻温度系数(TCR)。

17.根据权利要求13-14中任一项所述的TFR结构，其中所述TFR层具有由退火产生的0±10ppm/℃的电阻温度系数(TCR)。