[发明专利]埋入式电力轨道有效
| 申请号： | 201880041590.9 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110800113B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;安东·J·德维利耶;坎达巴拉·N·塔皮利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的方面提供半导体器件和制造所述半导体器件的方法。所述半导体器件包括电力轨道，所述电力轨道形成于隔离沟槽中。所述电力轨道被介电质盖层覆盖，所述介电质盖层将所述电力轨道与所述介电质盖层上的导电图案结构隔离。此外，在所述介电质盖层中选择性地形成开口并且用导电材料填充所述开口以选择性地连接导电图案结构与所述电力轨道。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 电力 轨道 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包含：/n电力轨道，所述电力轨道形成于隔离沟槽中；/n在所述电力轨道上的介电质盖层，所述介电质盖层将所述电力轨道与所述介电质盖层上的导电图案结构隔离；以及/n开口，所述开口选择性地形成于所述介电质盖层中，所述开口填充有导电材料以选择性地连接导电图案结构与所述电力轨道。/n
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