[发明专利]埋入式电力轨道

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包含：

第一电力轨道，其形成于在第一隔离沟槽中的第一轨道开口中；

第一介电质盖层，其在所述第一轨道开口中的第一电力轨道上，所述第一介电质盖层将所述第一电力轨道与所述第一介电质盖层上的导电图案结构隔离；

第二电力轨道，其具有与所述第一电力轨道基本上相同的厚度，并且被形成于在第二隔离沟槽中的第二轨道开口中；

第二介电质盖层，其在所述第二轨道开口中的第二电力轨道上，所述第二介电质盖层对所述第二轨道开口的侧面材料具有蚀刻选择性；以及

开口，其通过将对所述第二轨道开口的侧面材料具有蚀刻选择性的第二介电质盖层进行蚀刻而形成，所述开口填充有导电材料，所述导电材料连接所述导电图案结构与所述第二电力轨道，

其中，所述第一电力轨道和所述第二电力轨道均是非分散地在给定单元上延伸并且达到邻近的给定单元的埋入式电力轨道。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电力轨道形成于所述第一隔离沟槽内，并且所述第二电力轨道形成于所述第二隔离沟槽内。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电力轨道被形成为穿透所述第一隔离沟槽并且进入块状硅衬底中，并且所述第二电力轨道被形成为穿透所述第二隔离沟槽并且进入所述块状硅衬底中。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二介电质盖层是对于所述第二电力轨道与所述第二隔离沟槽之间的SiO衬里和所述第二隔离沟槽中的氧化物具有蚀刻选择性的材料。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一介电质盖层选择性地沉积在所述第一电力轨道上。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电力轨道和第二电力轨道由具有超过700℃的热稳定性的金属材料形成。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述金属材料是折射性金属。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述金属材料包括钌。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电力轨道和所述第二电力轨道的高宽比是预定的，以满足所述第一电力轨道和所述第二电力轨道的电阻率要求。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一电力轨道和所述第二电力轨道的临界尺寸宽度是结合所述高宽比来预定的。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一电力轨道和所述第二电力轨道是通过用所述折射性金属填充所述第一轨道开口和所述第二轨道开口并且将所述折射性金属回蚀到特定深度而形成。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一隔离沟槽中的第一轨道开口中形成第一电力轨道并且在第二隔离沟槽中的第二轨道开口中形成第二电力轨道，所述第二电力轨道具有与所述第一电力轨道基本上相同的厚度；

用第一介电质盖层对所述第一电力轨道进行顶部覆盖，并且用第二介电质盖层对所述第二电力轨道进行顶部覆盖，所述第二介电质盖层对所述第二轨道开口的侧面材料具有蚀刻选择性；以及

在对所述第二轨道开口的侧面材料具有蚀刻选择性的所述第二介电质盖层中蚀刻出开口，并且使得所述开口的侧面与所述第二电力轨道对准；

用导电材料填充所述开口以经由经填充的开口来连接导电图案结构与所述第二电力轨道，所述第一介电质盖层将所述第一电力轨道与所述导电图案结构隔离，

其中，所述第一电力轨道和所述第二电力轨道均是非分散地在给定单元上延伸并且达到邻近的给定单元的埋入式电力轨道。