[发明专利]多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201880040126.8 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110799457B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 镰田诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 尹吉伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实现了一种多晶硅的有效的制造方法。本发明是通过西门子法进行的多晶硅的制造方法，反应器和废气处理设备通过设置在废气管道上的截止阀连接，上述截止阀设置在上述反应器的废气出口附近，通过在上述反应器的废气出口和上述截止阀之间的间接冷却型冷却器来冷却废气。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅的制造方法，所述方法为包括使用反应器并通过西门子法制造多晶硅的工序的多晶硅的制造方法，/n所述多晶硅的制造方法的特征在于，/n所述反应器经由废气管道与废气处理设备连接，/n所述反应器和所述废气处理设备通过设置在所述废气管道上的截止阀可分离地连接，/n所述截止阀设置在所述反应器的废气出口附近，/n所述方法包括通过所述废气管道的、在所述反应器的废气出口和所述截止阀之间的间接冷却型冷却器来冷却废气的冷却工序。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社德山，未经株式会社德山许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880040126.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
