[发明专利]用于图案化磁隧道结的方法在审
| 申请号： | 201880039098.8 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110741488A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 晴云·杨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了用于蚀刻磁阻随机存取存储器器件的方法和设备，所述磁阻随机存取存储器器件包括至少一个磁隧道结堆叠体结构，所述磁隧道结堆叠体结构包括设置在第一磁性层与第二磁性层之间的绝缘层。所述方法包括以下步骤：在有效地使第一磁性层和第二磁性层以及绝缘层的至少一部分转化成金属氯化物的条件下，在不大于30摄氏度的温度下使基底与含氯等离子体接触。接下来，在对去除金属氯化物有效的条件下，用有机溶剂处理接触步骤的所得产物。该处理可以包括通过溶解金属氯化物或通过使金属氯化物与反应性有机溶剂反应或者二者而冲洗掉金属氯化物。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氯化物 磁性层 绝缘层 磁阻随机存取存储器 磁隧道结 堆叠体 反应性有机溶剂 蚀刻 有机溶剂处理 方法和设备 氯等离子体 有效地 基底 去除 冲洗 溶解 转化 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻基底的方法，所述基底包括设置在第一磁性层与第二磁性层之间的绝缘层，所述方法包括：/n在有效地使所述第一磁性层和所述第二磁性层以及所述绝缘层的至少一部分转化成金属氯化物的条件下，在不大于30摄氏度的温度下使所述基底与含氯等离子体接触；/n在有效地从所得基底去除所述金属氯化物的条件下，用有机溶剂处理接触步骤的所得基底以提供蚀刻的基底。/n
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