[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201880039083.1 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110770652B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 桥本雅广;宍户博明 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32;G03F1/58;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有相移膜(2)和遮光膜(3)的结构，相移膜与遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，遮光膜具备从透光性基板侧起层叠有下层(31)及上层(32)的结构，下层由铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，上层由金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，上层对于曝光光的消光系数k |
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| 搜索关键词： | 坯料 相移 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模坯料，其具备在透光性基板上依次层叠有相移膜和遮光膜的结构，/n所述相移膜和所述遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，/n所述遮光膜具备从所述透光性基板侧起层叠有下层及上层的结构，/n所述下层由含有铬、且铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，/n所述上层由含有金属及硅、且金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，/n所述上层对于所述曝光光的消光系数k
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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