[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，其具备在透光性基板上依次层叠有相移膜和遮光膜的结构，

所述相移膜和所述遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，

所述遮光膜具备从所述透光性基板侧起层叠有下层及上层的结构，

所述下层由含有铬、且铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，

所述上层由含有金属及硅、且金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，

所述上层对于所述曝光光的消光系数k_U大于所述下层对于所述曝光光的消光系数k_L，

所述下层的厚度为大于15nm且60nm以下，

所述上层的厚度为5nm以上且40nm以下，

作为所述金属，包含选自钼、钨、钛、钽、锆、铪、铌、钒、钴、铬、镍、钌、铑、钯、铟、锡、铝中的1种以上金属元素。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述相移膜对于所述曝光光的透射率为1％以上。

3.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述下层的消光系数k_L为2.0以下，所述上层的消光系数k_U大于2.0。

4.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述上层对于所述曝光光的折射率n_U小于所述下层对于所述曝光光的折射率n_L，用所述上层对于所述曝光光的折射率n_U除以所述下层对于所述曝光光的折射率n_L而得到的比率n_U/n_L为0.8以上。

5.根据权利要求4所述的掩模坯料，其中，所述下层的折射率n_L为2.0以下，所述上层的折射率n_U小于2.0。

6.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述下层由铬、氧及碳的总含量为90原子％以上的材料形成。

7.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述上层由钽及硅的总含量为80原子％以上的材料形成。

8.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述相移膜由含有硅的材料形成。

9.一种相移掩模，其具备在透光性基板上依次层叠有具有转印图案的相移膜和具有遮光带图案的遮光膜的结构，

所述相移膜与所述遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，

所述遮光膜具备从所述透光性基板侧起层叠有下层及上层的结构，

所述下层由含有铬、且铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，

所述上层由含有金属及硅、且金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，

所述上层对于所述曝光光的消光系数k_U大于所述下层对于所述曝光光的消光系数k_L，

所述下层的厚度为大于15nm且60nm以下，

所述上层的厚度为5nm以上且40nm以下，

作为所述金属，包含选自钼、钨、钛、钽、锆、铪、铌、钒、钴、铬、镍、钌、铑、钯、铟、锡、铝中的1种以上金属元素。

10.根据权利要求9所述的相移掩模，其中，所述相移膜对于所述曝光光的透射率为1％以上。

11.根据权利要求9所述的相移掩模，其中，所述下层的消光系数k_L为2.0以下，所述上层的消光系数k_U大于2.0。