[发明专利]低发射率玻璃在审
| 申请号： | 201880037343.1 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110719898A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 朴俊永;姜贤旻;金镇瑢;吴营勳;尹成君;柳宝娜;李炫周;李济香;金旻炷 | 申请（专利权）人： | KCC公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及低发射率玻璃，其包括：玻璃衬底；形成在所述玻璃衬底上的第一电介质层；形成在所述第一电介质层上的金属层；形成在所述金属层上的吸收层；形成在所述吸收层上的第二电介质层；以及形成在所述第二电介质层上并且含有Zr的涂层，由此提供了具有良好并且优异的处理和长期储存性质的低发射率玻璃。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 玻璃 低发射率 金属层 吸收层 衬底 长期储存 | ||
【主权项】：
1.低发射率玻璃，包括：/n玻璃衬底；/n形成在所述玻璃衬底上的第一电介质层；/n形成在所述第一电介质层上的金属层；/n形成在所述金属层上的吸收层；/n形成在所述吸收层上的第二电介质层；以及/n形成在所述第二电介质层上的包含Zr的涂层。/n
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