[发明专利]用于准分子激光硅结晶的能量控制器有效
| 申请号： | 201880037164.8 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110998794B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | I·布拉金 | 申请（专利权）人： | 相干激光系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01S3/13;H01S3/134 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 周积德 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 准分子激光退火设备(40)包括准分子激光器(42)，该准分子激光器将激光辐射脉冲传送到支撑在基板上的硅层(58)，该基板相对于激光脉冲平移，使得连续的脉冲在基板上重叠。监控每个激光辐射脉冲的能量，并将其发送到控制电子设备(48)，然后通过高通数字滤波器(62)调整下一个激光脉冲的能量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 准分子激光 结晶 能量 控制器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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