[发明专利]无再沉积溅射系统在审

专利信息
申请号: 201880031511.6 申请日: 2018-04-25
公开(公告)号: CN110621804A 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 细川昭弘 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/35;H01J37/34
代理公司: 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种圆柱靶材组件,用于在物理气相沉积处理腔室中使用而用于磁性增强的溅射应用。在此处所公开的实施方式中,围绕可旋转的背衬管设置的圆柱靶材具有一个或多个轮廓端部,符合位于均匀磁场的外侧的磁性溅射线。轮廓端部避免或实质上减少再沉积材料聚积于圆柱靶材组件的任一端部,而期望地减少在处理腔室中及在其中处理的基板的表面上的粒子污染物。
搜索关键词: 圆柱靶材 处理腔室 轮廓端部 物理气相沉积 粒子污染物 均匀磁场 可旋转的 背衬管 再沉积 聚积 基板 溅射 射线 期望 应用
【主权项】:
1.一种圆柱靶材组件,包括:/n背衬管;和/n圆柱靶材,围绕所述背衬管设置,所述圆柱靶材包括:/n内部表面;/n外部表面,围绕所述内部表面同轴式设置;和/n一个或多个轮廓表面,在个别靶材端部各从所述内部表面延伸至所述外部表面。/n
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