[发明专利]移除衬底的方法有效
| 申请号： | 201880029662.8 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110603651B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;S·甘德瑞蒂拉;李鸿渐;D·A·科昂 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种移除衬底的方法，其包括：在基于GaN的衬底上直接或间接地形成具有多个条带状开口区域的生长限制掩模；以及使用所述生长限制掩模在所述基于GaN的衬底上生长多个半导体层，使得所述生长在平行于所述生长限制掩模的所述条带状开口区域的方向上延伸，且在所述半导体层聚结之前停止生长，由此得到岛状半导体层。针对所述岛状半导体层中的每一者处理装置。执行蚀刻，直到暴露所述生长限制掩模的至少一部分。接着将所述装置结合到支撑衬底。通过至少部分地溶解所述生长限制掩模的湿式蚀刻技术从所述装置移除所述基于GaN的衬底。接着可回收所移除的所述GaN衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种移除衬底的方法，其包括：/n在基于III族氮化物的衬底上或上方形成生长限制掩模；/n使用所述生长限制掩模在所述基于III族氮化物的衬底上或上方生长一或多个基于III族氮化物的半导体层，以产生一或多个岛状半导体层；/n将所述岛状半导体层结合到支撑衬底；以及/n使用所述支撑衬底从所述岛状半导体层移除所述基于III族氮化物的衬底。/n
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