[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

在层间绝缘膜(13)的接触孔(14)，介由势垒金属(15)埋入成为接触插塞的钨膜(16)。层间绝缘膜(13)是依次层叠HTO膜(11)和BPSG膜(12)而成的。BPSG膜(12)与HTO膜(11)相比，由势垒金属(15)形成前的前处理的湿式蚀刻中使用的氢氟酸水溶液进行的蚀刻的速度更快。在制造这种结构的半导体装置时，在层间绝缘膜(13)形成接触孔(14)后，通过势垒金属(15)形成前的前处理的湿式蚀刻，使接触孔(14)的在BPSG膜(12)的部分(14a)的宽度(w1)阶梯状地大于在HTO膜(11)的部分(14b)的宽度(w2)，从而减小接触孔(14)的深宽比。由此，能够实现微小化和可靠性提高。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n第2导电型的第1半导体区，其设置于第1导电型的半导体基板的第1主面的表面层；/n第1导电型的第2半导体区，其是所述半导体基板的除所述第1半导体区以外的部分；/n元件结构，其设置于所述半导体基板的第1主面侧，且具有所述第1半导体区与所述第2半导体区的pn结；/n层间绝缘膜，其设置于所述半导体基板的第1主面上，且覆盖所述元件结构；/n接触孔，其是将所述层间绝缘膜选择性地开口而成，并且选择性地露出所述半导体基板的第1主面；/n第1金属膜，其沿着所述接触孔的内壁而设置，与所述半导体基板的紧贴性高，且与所述半导体基板进行欧姆接触；/n第2金属膜，其在所述接触孔的内部埋入到所述第1金属膜上；以及/n第1电极，其设置在所述层间绝缘膜和所述第2金属膜上，且介由所述第2金属膜和所述第1金属膜而与所述第1半导体区电连接，/n所述层间绝缘膜具有：/n第1绝缘膜，其设置于所述半导体基板的第1主面上，以及/n第2绝缘膜，其设置于所述第1绝缘膜上，且由对氢氟酸或稀氢氟酸的蚀刻速度比所述第1绝缘膜快的绝缘材料构成，/n所述接触孔在侧壁具有台阶，所述台阶的在所述第2绝缘膜的部分的宽度阶梯状地大于在所述第1绝缘膜的部分的宽度，/n所述接触孔的在所述第1绝缘膜的部分的深宽比为0.5以上且1.5以下，/n所述接触孔的在所述第2绝缘膜的部分的深宽比为0.5以上且1.5以下。/n