[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201880025956.3 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110537262B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 朴德炫;郑炳学 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/62;H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体器件包括：导电衬底；半导体结构，其被布置在导电衬底上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，其被布置在半导体结构上并且电连接到第一导电类型半导体层，其中，半导体结构还包括在第一导电类型半导体层和第一电极之间的1‑1导电类型半导体层；以及半导体结构的顶表面包括：在其上布置第一电极的平坦部以及围绕该平坦部的凹凸部，其中从半导体结构的底表面到接触平坦部的侧表面的凹凸部的底表面的第二距离可以在相对于从半导体结构的底表面到1‑1导电半导体层的顶表面的第一距离的70％或者更多与95％或者更少之间。本发明可以通过改善半导体器件的电流扩散现象来增强光通量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n导电衬底；/n半导体结构，所述半导体结构被布置在所述导电衬底上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间布置的有源层；以及/n第一电极，所述第一电极被布置在所述半导体结构上并且电连接到所述第一导电半导体层，/n其中，所述半导体结构还包括在所述第一导电半导体层和所述第一电极之间的1-1导电半导体层，并且所述半导体结构的顶表面包括：平坦部，在所述平坦部上布置所述第一电极；以及凹凸部，所述凹凸部围绕所述平坦部，/n其中，从所述半导体结构的底表面到接触所述平坦部的侧表面的所述凹凸部的底表面的第二距离是从所述半导体结构的底表面到所述1-1导电半导体层的顶表面的第一距离的70％至95％。/n
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