[发明专利]加工对象物切断方法和半导体芯片有效
| 申请号： | 201880025364.1 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110520968B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;王磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；以及第三步骤，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中，从第二主面侧实施干式蚀刻而去除至少1列改质区域，由此在沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 对象 切断 方法 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种加工对象物切断方法，其特征在于，包括：/n第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；/n第二步骤，在所述第一步骤之后，通过对所述加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在所述单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物以跨所述至少1列改质区域与所述加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；和/n第三步骤，在所述第二步骤之后，通过对所述加工对象物从所述第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物形成开口于所述第二主面的沟槽，/n在所述第三步骤中，从所述第二主面侧实施所述干式蚀刻而去除所述至少1列改质区域，由此在所述沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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