[发明专利]加工对象物切断方法和半导体芯片

权利要求书

1.一种加工对象物切断方法，其特征在于，包括：

第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；

第二步骤，在所述第一步骤之后，通过对所述加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在所述单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物以跨所述至少1列改质区域与所述加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；和

第三步骤，在所述第二步骤之后，通过对所述加工对象物从所述第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物形成开口于所述第二主面的沟槽，

在所述第三步骤中，从所述第二主面侧实施所述干式蚀刻而去除所述至少1列改质区域，由此在所述沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。

2.如权利要求1所述的加工对象物切断方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，通过形成在所述加工对象物的厚度方向上排列的多列改质区域，分别沿所述多条切断预定线形成所述至少1列改质区域，以跨所述多列改质区域中彼此相邻的改质区域之间的方式形成所述龟裂，

在所述第三步骤中，从所述第二主面侧实施所述干式蚀刻而去除所述多列改质区域中位于所述第二主面侧的改质区域，由此在所述沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状的所述凹凸区域。

3.如权利要求1或2所述的加工对象物切断方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，通过形成分别沿所述多条切断预定线排列的多个改质点，分别沿所述多条切断预定线形成所述至少1列改质区域，以跨所述多个改质点中彼此相邻的改质点之间的方式形成所述龟裂。

4.如权利要求1～3中任一项所述的加工对象物切断方法，其特征在于：

还包括第四步骤，其在所述第三步骤之后，通过将扩张膜贴于所述第二主面侧并使所述扩张膜扩张，分别沿所述多条切断预定线将所述加工对象物切断成多个半导体芯片。

5.一种加工对象物切断方法，其特征在于，包括：

第一步骤，准备具有单晶材料基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；

第二步骤，在所述第一步骤之后，通过对所述加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在所述单晶材料基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物以跨所述至少1列改质区域与所述加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；和

第三步骤，在所述第二步骤之后，通过对所述加工对象物从所述第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿所述多条切断预定线在所述加工对象物形成开口于所述第二主面的沟槽，

在所述第三步骤中，从所述第二主面侧实施所述干式蚀刻而去除所述至少1列改质区域，由此在所述沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶材料露出的凹凸区域。

6.如权利要求5所述的加工对象物切断方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，通过形成在所述加工对象物的厚度方向上排列的多列改质区域，分别沿所述多条切断预定线形成所述至少1列改质区域，以跨所述多列改质区域中彼此相邻的改质区域之间的方式形成所述龟裂，

在所述第三步骤中，从所述第二主面侧实施所述干式蚀刻而去除所述多列改质区域中位于所述第二主面侧的改质区域，由此在所述沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状的所述凹凸区域。

7.如权利要求5或6所述的加工对象物切断方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，通过形成分别沿所述多条切断预定线排列的多个改质点，分别沿所述多条切断预定线形成所述至少1列改质区域，以跨所述多个改质点中彼此相邻的改质点之间的方式形成所述龟裂。

8.如权利要求5～7中任一项所述的加工对象物切断方法，其特征在于：

还包括第四步骤，其在所述第三步骤之后，通过将扩张膜贴于所述第二主面侧并使所述扩张膜扩张，分别沿所述多条切断预定线将所述加工对象物切断成多个半导体芯片。

9.一种半导体芯片，其特征在于：

包括：单晶硅基板、和

功能元件层，其设置于所述单晶硅基板的第一表面侧，

所述单晶硅基板的至少第二表面侧的部分呈现离所述第一表面越远变得越细的形状，

在所述部分的侧面以带状形成有呈现凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。