[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件有效
| 申请号： | 201880020669.3 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110476259B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吉多·韦斯;克里斯托弗·施瓦茨迈尔;多米尼克·斯科尔茨;妮科尔·海策尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有有源区(11)，所述有源区设计用于发射辐射，B)将种晶层(4)施加到半导体芯片(1)上，其中种晶层(4)具有第一金属和与第一金属不同的第二金属，其中第二金属不如第一金属贵重，C)将结构化的光刻胶层(9)直接施加到种晶层(4)上，以及D)将焊料层(10)至少施加到种晶层(4)的未被光刻胶层(9)覆盖的区域上，其中在种晶层(4)中第一金属与第二金属的比例在95:5至99:1之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造光电子器件的方法，所述方法包括如下方法步骤：/nA)提供半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有有源区(11)，所述有源区设计用于发射辐射，/nB)将种晶层(4)施加到所述半导体芯片(1)上，其中所述种晶层(4)具有第一金属和与所述第一金属不同的第二金属，其中所述第二金属不如所述第一金属贵重，/nC)将结构化的光刻胶层(9)直接施加到所述种晶层(4)上，以及/nD)将焊料层(10)至少施加到所述种晶层(4)的未被所述光刻胶层(9)覆盖的区域上，/n其中在所述种晶层(4)中第一金属与第二金属的比例在95:5至99:1之间。/n
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