[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

申请号：	201880020208.6	申请日：	2018-03-20
公开（公告）号：	CN110462803A	公开（公告）日：	2019-11-15
发明（设计）人：	山崎舜平;山出直人;藤木宽士;村川努;竹内敏彦	申请（专利权）人：	株式会社半导体能源研究所
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786;H03K19/177
代理公司：	31100 上海专利商标事务所有限公司	代理人：	宋俊寅<国际申请>=PCT/IB2018
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。
搜索关键词：	绝缘体导电体氧化物半导体第二区域第一区域半导体装置集成度侧面
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【主权项】：

1.一种半导体装置，包括：/n包括第一区域、第二区域、与所述第一区域和所述第二区域相邻的第三区域、以及与所述第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；/n所述氧化物半导体上的第一绝缘体；/n所述第一绝缘体上的第一导电体；/n所述氧化物半导体、所述第一绝缘体及所述第一导电体上的第二绝缘体；/n隔着所述第二绝缘体设置在所述第一绝缘体的侧面及所述第一导电体的侧面的第三绝缘体；/n所述第二绝缘体及所述第三绝缘体上的第四绝缘体；以及/n与所述氧化物半导体接触地设置的第二导电体，/n其中，所述第一区域隔着所述第一绝缘体及所述第一导电体与所述第四绝缘体重叠，/n所述第二区域隔着所述第二绝缘体与所述第四绝缘体重叠，/n所述第三区域隔着所述第二绝缘体及所述第三绝缘体与所述第四绝缘体重叠，/n所述第四区域与所述第二导电体重叠，/n所述第二绝缘体是金属氧化物，/n在所述第二绝缘体中，与所述第二区域重叠的区域的厚度小于与所述第三区域重叠的区域的厚度，/n并且，所述第四绝缘体是包含氢或氮的膜。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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