[发明专利]等离子处理装置以及利用其的样品的处理方法在审
| 申请号： | 201880017600.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111492466A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 田中庆一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了能将晶片均匀加热从而提高处理的吞吐量，样品的处理方法多次重复包含如下工序的处理工序来对样品进行处理：吸附工序，在导入了处理气体的等离子产生室内通过等离子产生单元产生了等离子的状态下，在载置于与等离子产生室连接的处理室的内部的样品台的样品的表面形成反应物的层；脱离工序，用配置于样品室的外部的加热用灯和设置于样品台的内部的加热器加热样品来使反应物的层气化，从而使反应物的层从样品的表面脱离；和冷却工序，其将脱离工序中加热的样品冷却，在吸附工序中，由控制部对加热用灯和加热器进行前馈控制来将样品设定为第一温度状态，在脱离工序中，在由控制部控制加热用灯和加热器来加热样品时，对加热器进行反馈控制来将样品设定为第二温度状态。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 以及 利用 样品 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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