[发明专利]成像元件和成像装置在审
| 申请号: | 201880017532.2 | 申请日: | 2018-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN110419106A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 关勇一;亀田俊辅;高武明真 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G02B5/22;H04N5/369;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明的目的是简化其中使未透过配置在像素中的滤色器而进入像素的光衰减的成像元件的制造。所述成像元件设置有像素和入射光衰减部。所述像素包括来自被摄体的光中的具有预定波长的光所透过的滤色器和响应于透过所述滤色器的光而生成电荷的光电转换部。所述入射光衰减部配置在所述被摄体和所述滤色器之间,并且使未透过配置在所述像素中的滤色器而进入所述光电转换部的光衰减。 | ||
| 搜索关键词: | 滤色器 像素 成像元件 光电转换部 被摄体 光衰减 入射光 衰减部 配置 成像装置 预定波长 电荷 响应 制造 | ||
【主权项】:
1.一种成像元件,包括:像素,所述像素包括来自被摄体的光中的具有预定波长的光所透过的滤色器和响应于透过所述滤色器的光而生成电荷的光电转换部;和入射光衰减部,所述入射光衰减部配置在所述被摄体和所述滤色器之间,并且使未透过配置在所述像素中的滤色器而进入所述光电转换部的光衰减。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





