[发明专利]用于半导体器件的肖特基接触结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201880016366.4 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110383487B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | K·塔巴塔比-阿拉维;K·程;C·J·麦克唐纳 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于半导体器件(10)的肖特基接触结构(18)具有肖特基接触部(20)以及设置在所述接触部上的用于所述接触结构的电极(22)。所述肖特基接触部包括：与半导体进行肖特基接触的由第一金属构成的第一层(24)；处于所述第一层上的由第二金属构成的第二层(26)；处于所述第二层上的由第一金属构成的第三层(28)；以及处于所述第三层上的由第二金属构成的第四层(30)。设置在所述肖特基接触部上的用于所述肖特基接触结构的电极包括第三金属(22)，所述第二金属提供抵抗在所述第三金属和所述第一金属之间的迁移的势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 肖特基 接触 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基接触结构，包括：肖特基接触部，包括：与半导体进行肖特基接触的由第一金属构成的第一层；处于所述第一层上的由第二金属构成的第二层；处于所述第二层上的由所述第一金属构成的第三层；处于所述第三层上的由所述第二金属构成的第四层；以及设置在所述肖特基接触部上的用于所述肖特基接触结构的电极，所述电极具有第三金属，所述第二金属提供抵抗在所述第三金属和所述第一金属之间的迁移的势垒。
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