[发明专利]用于半导体器件的肖特基接触结构及其形成方法

权利要求书

1.一种肖特基接触结构，包括：

肖特基接触部，包括：

由金属层构成的多个堆叠体，所述堆叠体中的每一个堆叠体包括：

由第一金属构成的第一层；以及

处于所述第一层上的由第二金属构成的第二层；

其中，所述多个堆叠体中的第一堆叠体的所述第一层的所述第一金属与半导体进行肖特基接触；以及

设置在所述肖特基接触部上的用于所述肖特基接触部的电极，所述电极具有第三金属，所述第三金属与由金属层构成的所述多个堆叠体中的最上方的堆叠体的所述第二层的所述第二金属直接接触，

其中，所述第一金属、所述第二金属和所述第三金属各不相同。

2.根据权利要求1所述的肖特基接触结构，其中，所述第二金属提供抵抗在所述第三金属和所述第一金属之间的迁移的势垒。

3.根据权利要求1所述的肖特基接触结构，其中，所述第一金属为镍；所述第二金属为铂；并且所述第三金属为金。

4.根据权利要求1所述的肖特基接触结构，其中，所述第二层的所述第二金属与所述第一层的所述第一金属直接接触。

5.一种肖特基接触结构，包括：

肖特基接触部，包括：

与半导体进行肖特基接触的由第一金属构成的第一层；

处于所述第一层上的由第二金属构成的第二层；

处于所述第二层上的由所述第一金属构成的第三层；

处于所述第三层上的由所述第二金属构成的第四层；

处于所述第四层上的由所述第一金属构成的第五层；以及

处于所述第五层上的由所述第二金属构成的第六层；以及

设置在所述肖特基接触部上的用于所述肖特基接触结构的电极，所述电极具有第三金属，所述第二金属提供抵抗在所述第三金属和所述第一金属之间的迁移的势垒；

其中，所述第二层的所述第二金属与所述第一层的所述第一金属直接接触；

其中，所述第三层的所述第一金属与所述第二层的所述第二金属直接接触；

其中，所述第四层的所述第二金属与所述第三层的所述第一金属直接接触；

其中，所述第五层的所述第一金属与所述第四层的所述第二金属直接接触；

其中，所述第六层的所述第二金属与所述第五层的所述第一金属直接接触；

其中，所述电极的所述第三金属与所述第六层的所述第二金属直接接触；并且

其中，所述第一金属为镍；所述第二金属为铂；并且所述第三金属为金。

6.一种肖特基接触结构，包括：

与半导体进行肖特基接触的肖特基接触部，所述肖特基接触部包括垂直堆叠的多个堆叠体，所述堆叠体中的每个堆叠体包括由Ni构成的下层和由Pt构成的上层；并且

其中，所述Ni与所述Pt直接接触。

7.根据权利要求6所述的肖特基接触结构，包括处于所述肖特基接触部上的电极。

8.根据权利要求7所述的肖特基接触结构，其中，所述电极包括处于所述多个堆叠体中的上方堆叠体的Ni上的金层。

9.根据权利要求8所述的肖特基接触结构，其中，所述金层与所述多个堆叠体中的上方堆叠体的Ni直接接触。