[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法有效
| 申请号： | 201880015651.4 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110383501B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 矢野步;瀬能未奈都;难波伸 | 申请（专利权）人： | 松下控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 太阳能电池单元(10)包括：第1导电型的结晶性半导体的基板(20)；被设于基板(20)的一主表面的第1区域(W1)上的第1半导体层(21)；被设于一主表面的与第1区域(W1)不同的第2区域(W2)上的第2半导体层(22)；被设于第1半导体层(21)上的第1透明电极层(23)；以及被设于第2半导体层(22)上的第2透明电极层(24)。第1半导体层(21)包含第1导电型的第1非晶态半导体层(31)和从一主表面向第1透明电极层(23)延伸的第1结晶性半导体部(35)。第2半导体层(22)包含与第1导电型不同的第2导电型的第2非晶态半导体层(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池单元，其特征在于，包括：基板，其为第1导电型的结晶性半导体，第1半导体层，其被设于上述基板的一主表面的第1区域上，第2半导体层，其被设于上述一主表面的与上述第1区域不同的第2区域上，第1透明电极层，其被设于上述第1半导体层上，以及第2透明电极层，其被设于上述第2半导体层上；上述第1半导体层包含上述第1导电型的第1非晶态半导体层和从上述一主表面向上述第1透明电极层延伸的第1结晶性半导体部；上述第2半导体层包含与上述第1导电型不同的第2导电型的第2非晶态半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
