[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池单元，其特征在于，包括：

基板，其为第1导电型的结晶性半导体，

第1半导体层，其被设于上述基板的一主表面的第1区域上，

第2半导体层，其被设于上述一主表面的与上述第1区域不同的第2区域上，

第1透明电极层，其被设于上述第1半导体层上，以及

第2透明电极层，其被设于上述第2半导体层上；

上述第1半导体层包含上述第1导电型的第1非晶态半导体层和从上述一主表面向上述第1透明电极层延伸到达上述第1透明电极层的第1结晶性半导体部；

上述第2半导体层包含与上述第1导电型不同的第2导电型的第2非晶态半导体层和被设于上述一主表面上的第2结晶性半导体部；

上述第1区域的每单位面积所设的第1结晶性半导体部的量多于上述第2区域的每单位面积所设的第2结晶性半导体部的量。

2.如权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第1半导体层还包含被设于上述一主表面与上述第1非晶态半导体层之间、实质上本征的第3非晶态半导体层。

3.如权利要求2所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第1结晶性半导体部被以贯通上述第1非晶态半导体层和上述第3非晶态半导体层而到达上述第1透明电极层的方式设置。

4.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第2非晶态半导体层的至少与上述一主表面接触的部分的膜密度低于上述第1半导体层的与上述一主表面接触的部分。

5.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第2半导体层还包含被设于上述一主表面与上述第2非晶态半导体层之间、实质上本征的第4非晶态半导体层。

6.如权利要求5所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第4非晶态半导体层的至少与上述一主表面接触的部分的膜密度低于上述第1半导体层的与上述一主表面接触的部分。

7.如权利要求5所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第2结晶性半导体部以不贯通上述第4非晶态半导体层的方式设置。

8.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第1结晶性半导体部被局部地设于上述第1区域上。

9.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第1结晶性半导体部具有被以覆盖上述第1区域的一半以上的方式设置的基层和从上述基层向上述第1透明电极层延伸的柱状部。

10.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第1非晶态半导体层的上述第1导电型的杂质浓度高于上述基板。

11.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第1结晶性半导体部距上述一主表面的高度大于上述第2结晶性半导体部距上述一主表面的高度。

12.如权利要求11所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第2结晶性半导体部以不到达上述第2透明电极层的方式设置。

13.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述第1区域小于上述第2区域。

14.如权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，

上述基板被设于上述第1区域内的上述一主表面的正下方，具有上述第1导电型的杂质浓度高于上述基板的其他部分的高杂质浓度区域。