[发明专利]控制电路、半导体存储器装置、信息处理装置及控制方法在审
| 申请号： | 201880015577.6 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110383382A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 手冢宙之 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/14;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够在抑制功耗和成本增加的同时可靠地产生参考电位的控制电路。所提供的控制电路执行控制以将设置为预定电阻状态的第二参考元件与读出放大器分离，第二参考元件与设置为预定电阻状态的第一参考元件不同，并且在产生用于通过读出放大器从存储器单元读取的数据的参考电位时与读出放大器连接。 | ||
| 搜索关键词： | 读出放大器 参考元件 控制电路 预定电阻状态 参考电位 半导体存储器装置 读取 信息处理装置 存储器单元 功耗 | ||
【主权项】：
1.一种控制电路，其执行控制以将设置为预定电阻状态的第二参考元件与读出放大器分离，所述第二参考元件与设置为预定电阻状态的第一参考元件不同，并且在产生用于通过所述读出放大器从存储器单元读取的数据的参考电位时与所述读出放大器连接。
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