[发明专利]控制电路、半导体存储器装置、信息处理装置及控制方法在审
| 申请号： | 201880015577.6 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110383382A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 手冢宙之 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/14;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 读出放大器 参考元件 控制电路 预定电阻状态 参考电位 半导体存储器装置 读取 信息处理装置 存储器单元 功耗 | ||
1.一种控制电路，其执行控制以将设置为预定电阻状态的第二参考元件与读出放大器分离，所述第二参考元件与设置为预定电阻状态的第一参考元件不同，并且在产生用于通过所述读出放大器从存储器单元读取的数据的参考电位时与所述读出放大器连接。
2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，在所述第二参考元件与所述读出放大器分离的状态下，执行控制以对至少一个所述第二参考元件执行写入处理。
3.根据权利要求2所述的控制电路，其中当在所述第二参考元件上执行所述写入处理的同时检测到产生用于读取处理的命令时，在完成所述读取处理之后，执行控制将已完成所述写入处理的所述第二参考元件连接到所述读出放大器。
4.一种半导体存储器装置，包括：
存储器单元；
第一参考元件，设置为在产生用于从所述存储器单元通过读出放大器读取的数据的参考电位时的预定电阻状态；
第二参考元件，设置为在产生用于从所述存储器单元通过所述读出放大器读取的所述数据的所述参考电位时的预定电阻状态；以及
控制电路，执行控制以在产生用于从所述存储器单元通过所述读出放大器读取的所述数据的所述参考电位时将所述第一参考元件连接到所述读出放大器，并将所述第二参考元件与所述读出放大器分离。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中所述控制电路执行控制以在所述第二参考元件与所述读出放大器分离的状态下对至少一个所述第二参考元件执行写入处理。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中当在所述第二参考元件上执行所述写入处理时检测到产生所述读取命令时，在完成所述写入处理之后，所述控制电路执行控制将已完成所述写入处理的所述第二参考元件连接到所述读出放大器。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中所述存储器单元包括可变电阻存储器元件。
8.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中所述存储器单元包括可变磁阻存储器元件。
9.一种信息处理装置，包括至少一个根据权利要求4所述的半导体存储器装置。
10.一种控制方法，包括执行控制以将设置为预定电阻状态的第二参考元件与读出放大器分离，所述第二参考元件与设置为预定电阻状态的第一参考元件不同，并且在产生用于通过所述读出放大器从存储器单元读取的数据的参考电位时与所述读出放大器连接。
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