[发明专利]控制电路、半导体存储器装置、信息处理装置及控制方法

说明书

提供一种能够在抑制功耗和成本增加的同时可靠地产生参考电位的控制电路。所提供的控制电路执行控制以将设置为预定电阻状态的第二参考元件与读出放大器分离，第二参考元件与设置为预定电阻状态的第一参考元件不同，并且在产生用于通过读出放大器从存储器单元读取的数据的参考电位时与读出放大器连接。

技术领域

本发明涉及一种控制电路、半导体存储器装置、信息处理装置及控制方法。

背景技术

作为在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中产生读出放大器的参考电位的方法，已知的方法是提供一种参考单元，其中多个存储器单元并联和串联，并将所述参考单元用作参考电位产生时的参考电阻。并且还有一种技术，为了将参考单元的组合电阻值设置为处于高电阻(RH)和低电阻(RL)之间的期望值，安装多个RH和RL单元，并使每个单元的比率可变(专利文献1和2等等)。

在使用磁隧道结(MTJ)元件的存储器装置中，存储在MTJ元件中的信息可能会被无意中反转。因此，需要定期刷新操作(重写操作)才能可靠读取。例如，专利文献3公开了一种与对存储器单元的写操作并行地对参考单元执行刷新操作的技术。

引用列表

专利文献

专利文献1:公开号为2009-187631的日本专利申请

专利文献2：公开号为2013-4151的日本专利申请

专利文献3：公开号为2013-524392的PCT日文翻译专利

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在参考单元上执行刷新操作和对存储器单元的写操作并行，不仅会增加功耗，而且由于峰值电流的增加会导致芯片成本的增加。

因此，本公开提出了一种新颖和改进的控制电路、半导体存储器装置、信息处理装置及控制方法，其能够在抑制功耗增加和成本增加的同时可靠地产生参考电位。

解决问题的技术方案

根据本公开，提供一种控制电路，其执行控制以将设置为预定电阻状态的第二参考元件与读出放大器分离，所述第二参考元件与设置为预定电阻状态的第一参考元件不同，并且在产生用于通过所述读出放大器从存储器单元读取的数据的参考电位时与所述读出放大器连接。

此外，根据本公开，提供一种半导体存储器装置，包括：存储器单元；第一参考元件，设置为在产生用于通过读出放大器从所述存储器单元读取的数据的参考电位时的预定的电阻状态；第二参考元件，设置为在产生用于通过所述读出放大器从所述存储器单元中读取的所述数据的所述参考电位时的预定电阻状态；以及控制电路，其执行控制以在产生用于通过所述读出放大器从所述存储器单元读取的所述数据的所述参考电位时将所述第一参考元件连接到所述读出放大器，并将所述第二参考元件与所述读出放大器分离。

此外，根据本公开，提供一种信息处理装置，包括至少一个所述半导体存储器装置。

此外，根据本公开，提供一种控制方法，包括由处理器执行控制以将设置为预定电阻状态的第二参考元件与读出放大器分离，所述第二参考元件与设置为预定电阻状态的第一参考元件不同，并且在产生用于通过所述读出放大器从存储器单元读取的数据的参考电位时与所述读出放大器连接，。

本发明的有益效果

如上所述，本公开可以提供一种新颖和改进的控制电路、半导体存储器装置、信息处理装置及控制方法，其能够在抑制功耗增加和成本增加的同时可靠地产生参考电位。

请注意，上述效果不是限制性的，并且本说明书中示出的任何效果或从本说明书可以理解的其他效果可与上述效果一起体现，或代替上述效果。

附图说明